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TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振
頻率：12~800MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振， ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，差分晶振，TCXO溫補(bǔ)晶體振蕩器和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振，無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識(shí)，我們很高興能夠應(yīng)對(duì)您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。
TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
| Parameters | Specification | Remarks | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Frequency range | F_nom | 12.0MHz ~ 800.0MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Supply voltage | Vcc | 3.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Initial frequency tolerance | F_tol | <±2.0ppm | At +25°C±2°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Frequency stability | vs Temperature | F_stb | ±1.0ppm ~ ±5.0ppm | Table 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| vs Load | F_load | ±0.3ppm max | ±10% load condition change | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| vs Voltage | F_Vcc | ±0.3ppm max | ±5% input voltage change | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| vs Aging | F_age | ±1.0ppm/year max | At +25°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| vs Reflow | ±1.0ppm/year max | 1 reflow and measured after 24hrs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating temperature range (°C) | Topr | 0°C ~ +50°C to ‐40°C ~ +85°C | Table 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Storage temperature (°C) | Tstg | ‐55°C ~ +125°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output waveform / Output load | LVDS square wave/50? from each load | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output voltage high | Voh | 1.4V typical ; 1.6V min | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output voltage low | Vol | 0.9V min ; 1.1V max | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output differential voltage | Vod | 247mV min ; 355mV typical ; 454mV max | Output 1 ‐ Output 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output differential voltage error | Dvod | ‐50mV min ; 50mV max | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output offset voltage | Vos | 1.125V min ; 1.2V typical ; 1.375V max | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output offset magnitude error | Dvos | 0mV min ; 3mV typical ; 25mV max | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Current consumption | Icc | 12~24MHz : 33mA max ; 24~96MHz : 50mA | Max current measured with load | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 96~700MHz : 85mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rise and fall time | Tr, Tf | 1.5ns max | 20% to 80% of wave form. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Duty cycle | SYM | 45%/55% | Measured at 1.25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Start‐ up time | T_str | 5.0m sec (typical), 10.0m sec. (Max) | Reach 90% amplitude at +25°C±2°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Phase jitter (RMS) (12kHz to 20MHz) | 2.6ps (typical) , 4.0ps (max) | For frequency 155.520MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tristate | Pin 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VC‐TCXO option only | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Control voltage | Vc | 1.5V ± 1.0V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Frequency tuning (ppm) | ±5.0ppm min | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Linearity/Slope polarity | 6.0% typical;10%max/Positive slope | Positive voltage for positive frequency shift | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
抗沖擊
晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振.
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞進(jìn)口有源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機(jī)：13510569637
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- WI2WI晶振,TLT3晶振,TLT3-00032X-CN3RX晶振
- 溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM~2.0PPM,常用頻率:26M,33.6M,38.4M,40M.因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.
JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
- 百利通亞陶晶振
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貼片晶振
SMDcrystal
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